Intel получил разрешение на строительство завода в Китае

Корпорация Intel, по информации Associated Press, получила разрешение на строительство крупного завода по выпуску полупроводниковой продукции на территории Китая.

Планируется, что предприятие будет расположено в городе Далянь, а его строительство обойдется примерно в 2,5 миллиарда долларов США. На начальном этапе на заводе будет применяться 90-нанометровая технология изготовления чипов. Это позволяет предположить, что мощности фабрики будут направлены на изготовление наборов системной логики и чипов флэш-памяти. В перспективе, вероятно, на заводе будет внедрен более передовой техпроцесс.

Впрочем, в Intel отказались комментировать возможность строительства предприятия на территории Китая, отметив лишь, что корпорация пока не делала никаких официальных заявлений по данному вопросу.

В настоящее время Intel использует 90-нанометровую технологию изготовления микрочипов на заводах в Калифорнии, Нью-Мексико, Ирландии и Израиле. Фабрика Fab 11X в Нью-Мексико в ближайшее время должна быть переоборудована для выпуска продукции по 45-нанометровой технологии. Ожидается, что на переоснащение этого предприятия будет истрачено до 1,5 миллиарда долларов США. Введение в строй модернизированной фабрики Fab 11X запланировано на вторую половину следующего года.

Кстати, во второй половине текущего года выпуск продукции по 45-нанометровой технологии начнет завод Intel Fab D1D в Орегоне. Кроме того, до конца текущего года изготовление чипов с использованием 45-нанометрового техпроцесса должно быть организовано на фабрике Fab 32 в Чэндлере (Аризона).