Samsung представила прототип чипа памяти PRAM

Южнокорейская компания Samsung Electronics сообщила о разработке прототипа микрочипа памяти PRAM.

Исследования в области разработки памяти PRAM (Phase-change Random Access Memory) с изменяемым фазовым состоянием ведутся уже не первый год. Принцип работы такой памяти основан на свойстве халькогенидных полупроводников находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество носителя представляет собой непроводящий аморфный материал, а другой - кристаллический проводник. Изменение фаз осуществляется путём приложения электрического потенциала, при этом сама память является энергонезависимой.
Рабочий прототип чипа памяти PRAM, продемонстрированный Samsung, имеет ёмкость 512 Мбит. Одним из основных достоинств микросхемы является высокая скорость работы. Данные на носитель могут записываться без предварительного стирания, что обеспечивает примерно тридцатикратное увеличение быстродействия по сравнению со стандартными микросхемами флэш-памяти. Память PRAM также обладает примерно на порядок большим сроком службы по сравнению с чипами флэш-памяти типа NOR. Кстати, именно память NOR высокой плотности в перспективе могут заменить микросхемы памяти с изменяемым фазовым состоянием.
В Samsung подчёркивают, что процесс изготовления чипов PRAM требует примерно на 20 процентов меньше технологических операций, нежели это необходимо для памяти NOR. Поставки чипов памяти с изменяемым фазовым состоянием южнокорейская компания рассчитывает начать в 2008 году.

13 сентября 2006 года, 16:36 Текст: Владимир Парамонов По материалам www.compulenta.ru